1996年美国关于Ⅱ—Ⅵ族材料物理学和化学的专题讨论会

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摘要一、材料生长1.工作于中波红外波段的集成双色HgCdTe 探测器的分子束外延生长及其性能(R.D. Rajavel等)2.带隙设计HgCdTe p-n-N-P双波段探测器列阵的有机金属化学蒸发淀积方法(P. Mitra等)3.用于高速低噪声1.3μm-1.6μm雪崩光电探测器的HgCdTe多层异质结的分子束外延生长(Owen K.Wu)4.

作者顾聚兴

出处《红外》 CAS 1998年第12期37-38,共2页 Infrared

关键词半导体物理美国半导体材料半导体材料会议

分类号 O47 [理学—半导体物理] O649 [理学—物理化学]

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