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扫描探针印刻术的新进展

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摘要在“超越紫外线光刻极限的新工艺”［１］短文中介绍过：集成电路中线条的宽度到２００３—２００６年以后将降到光刻工艺的极限１００ｎｍ以下，目前正在研制的光刻极限以后的新工艺有５种，其中的一种是利用几十ｋｅＶ高能量电子束进行印刻．这种电子束的直径可以小到ｎ...

作者吴自勤

机构地区中国科学技术大学基础物理中心

出处《物理》 CAS 1998年第12期752-752,共1页 Physics

关键词光刻扫描探针印刻术技术进展

分类号 TN305.7 [电子电信—物理电子学]

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