自组织生长锗量子点的库仑荷电效应被引量：6

COULOMB CHARGING EFFECT IN SELFASSEMBLED Ge QUANTUM DOTS

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摘要将导纳谱应用于半导体ＧｅＳｉ量子点的研究，观察到了典型直径为１３ｎｍ的Ｇｅ量子点的库仑荷电效应及其分立能级结构． Admittance spectroscopy is applied to study semiconductor GeSi quantum dots.We observed Coulomb charging effect and the discrete energy level structure of Ge quantum dots with the typical diameter 13nm.

作者张胜坤蒋最敏王迅

机构地区复旦大学应用表面物理国家重点实验室

出处《物理》 CAS 1998年第11期643-645,共3页 Physics

基金国家科学技术委员会攀登计划资助

关键词量子点导纳谱库仑荷电效应自组织生长半导体 quantum dot,admittance spectroscopy,Coulomb charging effect

分类号 TN304.110 [电子电信—物理电子学]

引文网络
相关文献

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物理

1998年第11期

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