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Diodes推出高压二极管阵列MMBD5004BRM
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摘要
Diode公司推出四开关二极管阵列MMBD5004BRM，其击穿电压为400V。该二极管阵列结合了更快的开关速度和低结电容，能工作在225mA的连续高额定电流和625mA的峰值电流。
出处
《无线电》
2010年第4期4-4,共1页
Hands-on Electronics
关键词
二极管阵列
高压
开关速度
击穿电压
峰值电流
额定电流
结电容
分类号
TN248.1 [电子电信—物理电子学]
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