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脉冲应力下电流密度指数因子的研究与分析

Study on Current Density Exponent Under DC Pulse Stress
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摘要 介绍了一种与传统MTF法完全不同的测量电流密度因子n的新型动态电流斜坡测试法。测试了4种不同样品。结果表明,n值与材料有关,并符合BLACK方程。 In this paper,a new dynamic current ramp method is different from the conventional MTF developed for testing the exponent n.The n of four samples have been measured,the results proved the values of n are dependent on materials and agree well with the BLACK equation.
出处 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1998年第6期19-22,49,共5页 Semiconductor Technology
关键词 金属化布线 可靠性 电迁徒 VLSI Semiconductor device Reliability Electromigration
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