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低压低功耗集成电路: SOI技术的新机遇

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摘要 就热载流子效应、软失效、体效应及寄生电容等问题将薄膜全耗尽CMOS/SOI器件与体硅CMOS器件进行比较。并阐述薄膜全耗尽CMOS/SOI技术是低压低功耗集成电路的理想技术。
作者 张兴 王阳元
机构地区 北京大学
出处 《电子科技导报》 1998年第12期13-15,23,共4页
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