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影像干涉光刻技术

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摘要 采用λ/2的光束复制出了更高分辨率极限的线间图形。它将电路图形的CD尺寸极限推进到λ/4,当采用193nm光源曝光时,CD尺寸为50nm以下。干涉光刻技术(IL)探讨了这种周期性图形的最终极限。影像干涉光刻技术未来的发展,将使光学方法制作100nm以下的电路图形成为可能。
作者 童志义
出处 《电子工业专用设备》 1998年第4期54-59,共6页 Equipment for Electronic Products Manufacturing
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