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创新封装将功率MOSFET散热效率提升80%
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摘要
德州仪器(TI)公司采用创新的封装技术,面向高电流DC/DC应用,推出5款目前业界首个采用封装顶部散热的标准尺寸功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应体晶管)产品系列。
作者
丛秋波
出处
《电子设计技术 EDN CHINA》
2010年第3期12-12,共1页
EDN CHINA
关键词
DualCool
NexFET
功率MOSFET
TI
CICLON
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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电子设计技术 EDN CHINA
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