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硅基室温电流注入Ge/Si异质结发光二极管

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摘要 目前,硅基光电集成所需的各个光子学单元已经取得了巨大的突破,并且与现有的微电子工艺完全兼容:硅基光波导在光通讯波段可以实现对光场的强限制以及低损耗传输;通过外延高质量的锗薄膜,实现了近红外波段的高速高量子效率的硅基光探测器;调制速率高达30GHz的基于硅基载流子等离子体色散效应的硅调制器也已经有报导。
出处 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2010年第3期14-14,共1页 Laser & Optoelectronics Progress
基金 国家973计划(2007CB613404) 国家863计划(2006AA03Z415) 国家自炙科学基金(60676005)资助课题
  • 相关文献

参考文献2

  • 1W. Hu et al.. Appl. Phys. Lett., 2009, 95(9): 092102.
  • 2B.W. Cheng et al.. in Proceedings of th Fifth IEEE International Conference on Group IV Photonics, 2008. 140-142.

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