克服放大器电气过应力问题(上)
Overcoming Amplifier Electrical Overstress Problems
摘要
当一个系统有多个电源时,可能出现运放电压输入高于电源轨的电气过应力(EOS)问题。通常工程师在考虑过应力时,常会想到静电放电(ESD),而EOS往往被忽略。本文介绍了EOS状态及解决此问题的方法。
出处
《电子产品世界》
2010年第4期55-57,共3页
Electronic Engineering & Product World
参考文献6
-
1SPICE Based Analog Simulation Program[R/OL]. http://focus ti .com/docs/toolsw/foiders/print/tina-ti.html.
-
2OPA364[RlOL] http://focus.ti.com/docs/prodlfoldersl print/opa364.html.
-
3OPA374[R/OL]. http://focus ticomldocslprodlfoldersl print/opa374.htmr.
-
4OPA227[R/OL]. http://focus.ti.comldocslprodlfolders/ print/opa227.html.
-
5Kuehl T Using the infinite gain, MFB filter topology in fully differential active filters[R/OL] http://focus.ti.com.cn/cn/lit/an/slyt343/slyt343.pdf.
-
6Baker B. A Baker's Dozen: Real Analog Solutions for Digital Designers[M] Newnes,2005.
-
1Thomas Kuehl,Bonnie Baker.克服放大器电气过应力问题(下)[J].电子产品世界,2010,17(5):62-64.
-
2Kern Wong.移动式PMU的功率MOSFET故障:原因及设计考虑[J].今日电子,2014,0(2):30-33.
-
3希雷.IR推出新型500V和600V集成电路[J].半导体信息,2006,0(5):35-36.
-
4邓永孝.半导体器件的过应力损伤[J].航天工艺,1995(3):19-21. 被引量：1
-
5邓永孝.半导体器件的“过应力”损伤[J].微处理机,1996(1):15-18.
-
6吴建忠.MOS集成电路电过应力损伤模式和机理分析[J].半导体技术,1994,10(2):51-54. 被引量：2
-
7马晋,王富珍,王彩琳.IGBT失效机理与特征分析[J].电力电子技术,2014,48(3):71-73. 被引量：24
-
8吴建忠.MOS集成电路电过应力损伤的模式和机理[J].电子产品可靠性与环境试验,1994,12(6):24-28.
-
9马璇.电子元器件失效机理验证试验[J].电子元器件应用,2003,5(5):50-53. 被引量：6
-
10650V快速体二极管MOSFET[J].今日电子,2016,0(6):67-67.
