SiB455EDK：TrenchFET功率MOSFET

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摘要 Vishay推出新款12VP沟道第三代TrenchFET功率MOSFET SiB455EDK。该器件采用热增强的PowerPAKSC．75封装，占位面积为1，6mm×1．6mm。

机构地区深圳隽捷公司

出处《世界电子元器件》 2010年第2期43-43,共1页 Global Electronics China

关键词功率MOSFET 第三代 P沟道封装器件

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世界电子元器件

2010年第2期

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