TI推出采用新封装工艺的DualCool NexFET功率MOSFET

许多标准架构（PCI、ATCA）、电信及服务器机柜设备都具有固定的支架，机柜尺寸和电源预算，因而当前的主要需求即在不降低效率和性能的情况下提高POL（负载点）的功率密度。为此，TI推出面向高电流DC／DC应用采用全新封装工艺的标准尺寸功率MOSFET产品系列，借助新工艺，可以令功率转换产生的热量能通过对流冷却从封装顶部散出，有效提高了功率密度、电流承受能力，并增强了系统稳定性。