应用材料公司的22nm Cu阻挡层／籽晶层PVD技术

应用材料公司称，他们有一新的Endura Cu BS RFX PVD（物理气相沉积）系统，可用于32nm和22nm逻辑和闪速存储器生产中的Cu阻挡层／籽晶层（Cu barrier／seed）沉积，每片成本低于与其竞争的工艺（比如CVD等）达40％。