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MIT用“干涉”光刻步骤制成36nm线

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摘要 MIT(麻省理工学院)的一个研究组用干涉图形和光致变色材料制出36nm线宽,并称这一技术可以延伸到分子尺度图形化。这一研究结果发表在2009年4月第10期“科学”杂志上。它是基于“吸收调制”,涉及干涉图形化,用不同波长的光去相互增强或相互抵消。
出处 《现代材料动态》 2010年第3期11-11,共1页 Information of Advanced Materials
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