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MIT用“干涉”光刻步骤制成36nm线
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摘要
MIT(麻省理工学院)的一个研究组用干涉图形和光致变色材料制出36nm线宽,并称这一技术可以延伸到分子尺度图形化。这一研究结果发表在2009年4月第10期“科学”杂志上。它是基于“吸收调制”,涉及干涉图形化,用不同波长的光去相互增强或相互抵消。
作者
邓志杰(摘译)
出处
《现代材料动态》
2010年第3期11-11,共1页
Information of Advanced Materials
关键词
MIT
干涉
光刻
麻省理工学院
图形化
光致变色
分子尺度
吸收调制
分类号
O436.1 [机械工程—光学工程]
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