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IMEC发布到10nm的内连计划
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摘要
IMEC己证实到10nm工艺代内连的可行性(将在2022年实现)。该中心称:已有20nm内连的解决方法,10nm结构正在研究中。对22nm工艺,该中心评价了几种势垒金属(TaN/Ta、RuTa、TaN+Co和MnOx)对Cu填充能力、电学性能和CMP(/4学机械平面化)兼容性。
作者
邓志杰(摘译)
出处
《现代材料动态》
2010年第3期11-11,共1页
Information of Advanced Materials
关键词
电学性能
兼容性
平面化
CMP
工艺
分类号
TB383 [一般工业技术—材料科学与工程]
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现代材料动态
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