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IR推出系列新型HEXFET功率MOSFET

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摘要 IR推出一系列新型HEXFET^R功率MOSFET，其中包括能够提供业界最低导通电阻（RDS（on））的IRFH6200TRPbF。

出处《电子制作》 2010年第4期5-5,共1页 Practical Electronics

关键词 HEXFET功率MOSFET IR 低导通电阻

分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]

引文网络
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2010年第4期

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