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美国化合物半导体制造商RFMD生产首个III—V太阳能电池

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摘要 美国化合物半导体制造商RFMicroDevices(RFMD)宣布,公司通过使用标准半导体芯片设备成功制造出太阳能电池,标志着6英寸砷化镓(GaAs)基片上的III—V族多结光伏电池量产方面获得突破。
出处 《中国集成电路》 2010年第4期9-9,共1页 China lntegrated Circuit
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