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美国化合物半导体制造商RFMD生产首个III—V太阳能电池
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摘要
美国化合物半导体制造商RFMicroDevices(RFMD)宣布,公司通过使用标准半导体芯片设备成功制造出太阳能电池,标志着6英寸砷化镓(GaAs)基片上的III—V族多结光伏电池量产方面获得突破。
出处
《中国集成电路》
2010年第4期9-9,共1页
China lntegrated Circuit
关键词
半导体制造商
太阳能电池
III
化合物
美国
生产
芯片设备
使用标准
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
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中国集成电路
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