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ICP-AES法描绘钴对硅的光谱干扰轮廓图 被引量:1

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摘要 钴基合金在锅炉制造业中应用广泛,尤其在制造阀门的堆焊材料中最为常见.用ICP-AES法测定钴基合金中的硅时发现,在硅251.611nm处,钴对硅的光谱干扰小,而在硅252.851nm处,钴对硅的测定有很强的光谱干扰,本文描绘了干扰线轮廓图.1 试剂与仪器试验所用试剂均为分析纯,王水按HCl:HNO<sub>3</sub>=3:1比例配成.水为蒸馏水.JY38S
作者 李元芝
出处 《理化检验(化学分册)》 CAS CSCD 北大核心 1998年第12期560-560,共1页 Physical Testing and Chemical Analysis(Part B:Chemical Analysis)
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