Tl在Si(111)面吸附特性理论研究
被引量：1
出处
《河南师范大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第2期186-186,共1页
Journal of Henan Normal University(Natural Science Edition)
基金
国家自然科学基金项目(60476047)
河南省高校科技创新人才支持计划(2008HALTST030)
参考文献3
-
1Visikovskiy A,Mizuno S,Tochihara H.Reversible electromigration of thallium adatoms on the Si (111) surface[J].Surf Sci,2006,600(15):189-193.
-
2Dai X Q,Ju W W,Wang G T,Xie M H.First-principles study of indium on silicon(1 0 0)structure,defects and interdiffusion[J].Surf Sci,2004,572(1):77-83.
-
3Sakamoto K,Eriksson P E J,Ueno N,et.al.Photoemission study of a thallium induced Si(111)-(√3×√3) surface[J].Surf Sci,2007,601(22):5258-5261.
同被引文献7
-
1Novoselov K, Geim A, Morozov S et al. Electric field effect in atomically thin carbon films[J]. Science,2004,306:666.
-
2Barone V, Peralta J, Uddin J, et al. Screened exchange hybrid density-functional study of the work function of pristine and doped single- walled carbon nanotubes[J]. The Journal of chemical physics, 2006,124:024709.
-
3Latil S, Roche S, Mayou D, et al. Mesoscopic transport in chemically doped carbon nanotubes[J]. Physical review letters, 2004,92 (25) : 256805.
-
4Aktiirk E, AtacaC, Ciraci S. Effects of silicon and germanium adsorbed on graphene[J]. Applied Physics Letters,2010,96:123112.
-
5Kresse G, Hafner J. Norm-conserving and ultrasoft pseudopotentials for first-row and transition elements. Journal of Physics: Condensed Matter,1994(6) :8245.
-
6Denis P. Band Gap Opening of Monolayer and Bilayer Graphene Doped with Aluminium, Silicon, Phosphorus, and Sulfur[J]. Chemical Physics Letters.
-
7Denis P, Faccio R, Mombru A. Is It Possible to Dope Single-Walled Carbon Nanotubes and Graphene with Sulfur[J]. Chera Phys Chem, 2009,10 (4), 715-722.
二级引证文献4
-
1杜声玖,王蜀霞,刁凯迪,廖中伟.B原子吸附石墨烯的结构和性质[J].重庆理工大学学报（自然科学）,2012,26(7):105-109. 被引量：4
-
2赵朝军,刘金秋,智春艳,邱文旭,韩娟.Cl掺杂石墨烯的第一性原理研究[J].西安工业大学学报,2015,35(8):668-671. 被引量：1
-
3刘淑杰.Ca修饰石墨烯对H_2分子吸附研究[J].长春大学学报,2016,26(4):28-31. 被引量：1
-
4赵朝军,韩娟.掺O石墨烯的性质浅析[J].科技视界,2023(34):77-80.
-
1翟光杰,杨建树,陈显邦,王学森.Si(111)表面在NH_3气氛下形成Si_3N_4薄膜的STM研究[J].物理学报,2000,49(2):215-219. 被引量：2
-
2闫孟泽,赵艳春,孔令权,李之杰.Si在Si(111)表面吸附过程的分子动力学模拟[J].内蒙古民族大学学报（自然科学版）,2010,25(3):249-253. 被引量：2
-
3牟惕非.导体导电模拟演示仪[J].实验教学与仪器,2000,17(4):17-18.
-
4李晴,胡晓晖,林彰达.用低能电子衍射谱仪(LEED)观察氢终止的Si(111)表面[J].真空科学与技术,1994,14(1):11-15.
-
5黄晨,杨素萍.三点式LC振荡器相位平衡条件的判别方法[J].山东教育学院学报,2000,15(6):73-74. 被引量：1
-
6FENG De-wang,LAN Jian-rong.Analysis on conducted coupling of electrical fast transient burst in mines[J].Journal of Coal Science & Engineering(China),2012,18(2):207-212. 被引量：1
-
7陈龙,公铮,魏免.尖板电极起晕和击穿电压极性的研究[J].大观周刊,2011(16):138-138.
-
8张立.电场对非对称半抛物量子阱中的子带内跃迁引起的线性与非线性折射率改变的影响[J].红外与毫米波学报,2005,24(5):378-380. 被引量：2
-
9康保娟,曹世勋,王新燕,李领伟,黎文峰,刘芬,曹桂新,郁黎明,敬超,张金仓.混合场中(Pr_(1-y)Nd_y)_(2/3)Sr_(1/3)MnO_3体系磁转变行为研究[J].物理学报,2005,54(2):902-906. 被引量：1
-
10林宏,袁望治,赵振杰,程金科,辛宏梁,吴志明,阮建中,杨燮龙.FeCuNbSiB多层膜的磁化特性与巨磁阻抗效应[J].功能材料与器件学报,2007,13(6):666-670. 被引量：2
