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SiO2中Na及Si中B的SIMS分析

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摘要 SIMS对二氧化硅中钠离子有相当高的检测灵敏度,但其定量分析较为困难。在二氧化硅的SIMS图谱中,由一二氧化硅中的Na离子的计数和与“SiO2”计数和之比正比于二氧化硅中的Na离子的平均体密度,因此中采用做过BT(温度偏压)实验的MOS电容作为“标定”。因此用MOS电容的BT实验也仅能求出可动钠离子的面密度,因此该方法仅能半定量地对二氧化硅中的Na离子进行估算。
出处 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1998年第A12期121-124,共4页 Vacuum Science and Technology
  • 相关文献

参考文献2

  • 1叶良修 .半导体物理学,上册.北京:高等教育出版社.337.
  • 2Nakada Y,Koutsuka T,Mine K et al.SIMS IX.John Wiley & Sons, 1993:199.

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