摘要
SIMS对二氧化硅中钠离子有相当高的检测灵敏度,但其定量分析较为困难。在二氧化硅的SIMS图谱中,由一二氧化硅中的Na离子的计数和与“SiO2”计数和之比正比于二氧化硅中的Na离子的平均体密度,因此中采用做过BT(温度偏压)实验的MOS电容作为“标定”。因此用MOS电容的BT实验也仅能求出可动钠离子的面密度,因此该方法仅能半定量地对二氧化硅中的Na离子进行估算。
出处
《真空科学与技术》
CSCD
北大核心
1998年第A12期121-124,共4页
Vacuum Science and Technology