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日本三菱电机大幅降低SiC逆变器电力损耗

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摘要 日本三菱电机公司通过实验验证,采用有望成为下~代功率半导体材料SiC的逆变器,比目前主流的使用硅元件(IGBT:绝缘栅双极晶体管)的逆变器,在输出功率为20kW、驱动频率为20kHz时的电力损耗减少90%。
出处 《现代材料动态》 2010年第4期15-15,共1页 Information of Advanced Materials
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