计算半导体掺杂缺陷的几种方法

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摘要本文介绍了计算缺陷半导体电子结构的几种主要方法，指出了：对于一般精确度要求高的半导体缺陷的计算，应当考虑Ｊａｈｎ－Ｔｅｌｌｅｒ畸变和晶体弛豫效应等缺陷引起的误差。

作者张跃

出处《上海微电子技术和应用》 1998年第1期42-46,共5页

关键词密度泛函格林函数半导体材料掺杂

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上海微电子技术和应用

1998年第1期

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