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采用芯片级MICRO FOOT封装的P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET

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摘要 Vishay Intertechnology，Inc．推出首款采用芯片级MICROFOOT封装的P沟道第三代ThnchFET功率MOSFET—Si8499DB。在1．5mm×1mm的占位面积内，这款20V器件提供业内P沟道MOSFET最低的导通电阻。

出处《电子设计工程》 2010年第5期154-154,共1页 Electronic Design Engineering

关键词 P沟道MOSFET 功率MOSFET 芯片级第三代封装导通电阻 Inc 器件

分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]

引文网络
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9采用MICRO FOOT芯片级封装的TrenchFET功率MOSFET[J].今日电子,2009(3):90-90.
10赵佶.Vishay推出业内最小-20V P沟道Gen Ⅲ MOSFET[J].半导体信息,2013(6):7-7.

电子设计工程

2010年第5期

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