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ST发布55nm嵌入式闪存制造工艺
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摘要
意法半导体发布55纳米嵌入式闪存制造工艺。意法半导体的新一代车用微控制器芯片将采用这项先进技术。目前,意法半导体正在位于法国Crolles的世界一流的300mm晶圆厂进行这项技术的升级换代工作。
出处
《中国集成电路》
2010年第5期4-4,共1页
China lntegrated Circuit
关键词
嵌入式闪存
制造工艺
300mm晶圆厂
意法半导体
ST
控制器芯片
技术
分类号
TN304.057 [电子电信—物理电子学]
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中国集成电路
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