铁电——半导体的直接键合
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1形形色色的未来电视机[J].通信与广播电视,2001(1):62-62.
-
2新保優,詹娟.硅片的直接键合[J].电子器件,1991,14(1):57-59.
-
3W.J.A.M Hartmann,张敏.铁电液晶电视显示[J].光电子技术,1989,9(3):45-49.
-
4刘梅冬,王培英,吴国安,饶韫华.PbTiO_3铁电薄膜的制备及性能研究[J].华中理工大学学报,1992,20(6):117-121. 被引量：1
-
5义仡.Ⅲ—Ⅴ半导体的直接键合[J].电子材料快报,1996(10):10-10.
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6郑海东,陈晓明.Si面键合技术及其应用[J].压电与声光,1995,17(3):40-44.
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7卢德新,黄龙波.铁电薄膜的制备与铁电薄膜存贮器[J].薄膜科学与技术,1994,7(2):93-102. 被引量：1
-
8谭芷琼.斜蒸SiO_2膜铁电液晶分子取向特性[J].光电子技术,1989,9(4):48-54.
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9青春.MOCVD法沉积铁电SrBi2Ta3O9薄膜[J].电子材料快报,1996(8):10-11.
-
10詹娟,刘光廷,孔德平.硅/硅直接键合(SDB)平面型高反压大功率晶体管研究[J].半导体技术,1990,6(5):48-50. 被引量：4
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