调制掺杂应力层超晶格生长GaN基材料
-
1Han,JW,李玲.调制掺杂HgCdTe量子阱结构和超晶格[J].红外,1991(4):13-18.
-
2郎佳红,顾彪,徐茵,秦福文.GaN基材料半导体激光器综述[J].激光技术,2003,27(4):321-324. 被引量：10
-
3晓晔.极高电子迁移率Si／SiGe调制掺杂异质结[J].电子材料快报,1995(7):8-9.
-
4郑冬梅.GaN基材料的特性及应用[J].三明学院学报,2005,22(2):150-154. 被引量：3
-
5李秀萍,曹佳云,李南.一款用于超宽带接收系统的3-5GHz低噪声放大器[J].北京邮电大学学报,2015,38(2):108-112. 被引量：4
-
6侯斌武,赵红东,夏士超,宋晓敏,卢俏,席瑞媛,李梦宇.AlGaN/GaN HEMT电容及充电时间的研究[J].电子器件,2016,39(3):531-534.
;
