Si衬底上生长GaP的晶格缺陷
-
1李井春,韩书芳,张丕春,蒋凤田.GaP/GaP红色多片液相外延[J].应用激光联刊,1989,8(5):261-264.
-
2邓志杰.在大面积Si衬底上生长GaAs[J].现代材料动态,2002(9):12-13.
-
3王恩哥,章立源,王怀玉.应力对(GaP)_1/(InP)_1(111)超晶格体内和表面电子结构的影响[J].物理学报,1991,40(3):459-468.
-
4刘宇君,刘拥军,张希麟.电子显微镜晶格像的拍摄[J].云南大学学报(自然科学版),1999,21(S1):78-80.
-
5赵继刚,王太宏.碳纳米管“或否”逻辑器件[J].科技开发动态,2004(8):46-46.
-
6钱佑华,丁磊.GaP:N(Te)中碲束缚激子发光的声子翼现象[J].Journal of Semiconductors,1990,11(10):733-737. 被引量:1
-
7Dapk.,PD,王雅黎.光电子学某些邻域的展望:光学器件中超晶格和量子阱的应用[J].光机情报,1990(1):4-4.
-
8余琦,张勇,郑健生,颜炳章.GaP:N,Zn中等电子陷阱与Zn受主之间的辐射复合[J].Journal of Semiconductors,1989,10(9):717-721.
-
9晓予.(111)Si衬底上GaN的热稳定性[J].电子材料快报,1999(4):15-16.
-
10张福甲,王德明,李宝军.p-GaP与Au/Zn/AuSb的欧姆接触[J].半导体光电,1993,14(1):75-80. 被引量:1
;