MBE法在InP上生长AlPSb力GaPSb
-
1晓晔.MBE法在GaAs{111}衬底上生长CdSe[J].电子材料快报,1998(11):16-17.
-
2庶民.MBE法生长SiC[J].电子材料快报,1998(11):17-18.
-
3敏键.MBE法在GaAs上生长CdTe的择优取向[J].电子材料快报,1996(8):2-2.
-
4苏宇吹.用MBE法在Si异质结上生长Si1—xGex[J].电子材料快报,1998(7):15-16.
-
5朱顺才.MBE法生长的调制掺杂GaAs/Al_xGa_(1-x)As异质结构材料的输运特性研究[J].半导体情报,1995,32(1):37-41.
-
6晓晔.MBE法生长高质量HgCdTe/GaAs(211)B[J].电子材料快报,1995(11):17-18.
-
7李文连.EL蓝色荧光体[J].发光快报,1995,16(3):29-33.
-
8李国正,刘淑萍.P-Ge_(0.05)Si_(0.95)/P-Si异质结的I-V特性和光响应[J].固体电子学研究与进展,1997,17(1):26-29.
-
9采用MBE法夏普首次实现蓝紫色激光器[J].光盘技术,2004(1):26-26.
-
10晓晔.衬底取向偏离对MBE法生长Zn1—xMgxSe/GaAs(111)的影响[J].电子材料快报,2000(1):17-18.
;