Ⅰ—Ⅲ—Ⅵ2族晶体的溶液生长
-
1使用氧化镓基板的GaN类LED元件问世[J].中国照明电器,2011(4):5-5.
-
2杨国伟,胡国彬,熊殊.C_(60)单晶溶液生长中的枝晶与分形[J].科学通报,1996,41(14):1278-1280. 被引量:1
-
3孙再吉.氧化镓衬底GaN基的LED[J].半导体信息,2011,0(3):13-13.
-
4莫要武,吴汶海.Te溶液生长半磁半导体Cd_(1-x)Mn_xTe的光学和电学性质研究[J].应用科学学报,1997,15(1):107-111.
-
5材料制备工艺[J].电子科技文摘,2000(4):38-38.
-
6沈关顺,齐振一,许桂生,王评初,乐秀宏,李金龙,仲维卓,殷之文.PMNPT晶体的结晶基元与生长机理[J].人工晶体学报,1997,26(3):191-191. 被引量:1
-
7许磊,张天杰,廖蕾,李金钗,蔡洪涛.准定向ZnO纳米棒阵列的溶液生长制备及光学性质研究[J].信阳师范学院学报(自然科学版),2008,21(2):253-256. 被引量:5
-
8徐永宽.CuInS2化合物的化学反应过程和单晶生长[J].电子材料快报,1999(7):8-9.
-
9张杨.生长液浓度对ZnO纳米棒水浴生长的影响[J].生物技术世界,2013,10(3):143-144.
-
10邓志杰(摘译).现代ZnO体单晶生长[J].现代材料动态,2008(4):4-5.
;