摘要
利用脉冲激光方法成功地制备了硅的一维纳米线 (SiNW )和氮化硼纳米管(BN -NTs) .该方法合成的一维纳米材料具有产量大 ,纯度高 ,直径均匀等特点 .利用透射电子显微镜对这些一维纳米材料的微观结构进行了表征 .观察到硅纳米线中存在微孪晶、堆垛层错、小角晶界等高密度的结构缺陷 .并且发现这些结构缺陷与硅纳米线的生长和形貌有着密切的关系 .BN -NTs主要为单层管 ,管的表面光滑而没有吸附物 。
出处
《中国科学（A辑）》
CSCD
1999年第1期85-91,共7页
Science in China(Series A)
基金
国家自然科学基金! (批准号 :195 740 5 0和 5 96 72 0 13)
