摘要1893年，法国科学家亨利·莫埃桑博士（Dr．Henri Moissan）在分析一块散落在今天美国亚利桑那州足有一千年的陨石时，发现了一种新矿物，这便是碳化硅（Silicon Carbide）被人类首次发现的情形。这项发现使亨利后来成为了诺贝尔化学奖的得主。两年后，另一位名叫亨利·约瑟夫·让德（Henry Joseph Round）的人发现碳化硅能够发光，但由于发出的黄光太暗，不适合实用。
2Ha SY, Rohrer GS, De Graef M, et al. Origin of domain structure in hexagonal silicon carbide boules grown by the physical vapor transport method [J]. Journal of Crystal Growth, 2000, 220(3 ):8.
3Wang Y S ,Li J M ,Zhang F F,et al. The effects of carbonized buffer layer on the growth of SiC on Si [J]. Journal of Crystal Growth , 1999,201/202:564.
4Wang Y S , Li J M , Lin L Y, et al. Growth of SiC on Si substrateswith C2H4 and Si2H6 [J].Appl Surface Sci. , 1999,148:189.
