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GaN材料中离子注入的研究进展

Development of Ion-implantation Research in Gallium Nitride Material
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摘要 综述了GaN材料中离子注入的研究进展,重点介绍了离子注入技木在 GaN材料中的发光(PL,EL,CL)研究,注入隔离,p-型/n-型掺杂和深能级缺陷研究中的应用。 In this paper,we present a review of the application of the ion-implantatin technology in GaN ma-terials, with emphasis on its application in studies on luminescences (PL. EL. CL). on implantation isolation,on n-/p-doing and on deep-level defects.
出处 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第2期27-29,共3页 Materials Reports
基金 国家自然科学基金(批准号19775036)
关键词 离子注入 发光 掺杂 深能级缺陷 氮化镓 Gallium Nitride ion-implantation luminescence implantation-isolation dogping deep-level derects
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