摘要
综述了GaN材料中离子注入的研究进展,重点介绍了离子注入技木在 GaN材料中的发光(PL,EL,CL)研究,注入隔离,p-型/n-型掺杂和深能级缺陷研究中的应用。
In this paper,we present a review of the application of the ion-implantatin technology in GaN ma-terials, with emphasis on its application in studies on luminescences (PL. EL. CL). on implantation isolation,on n-/p-doing and on deep-level defects.
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第2期27-29,共3页
Materials Reports
基金
国家自然科学基金(批准号19775036)
关键词
离子注入
发光
掺杂
深能级缺陷
氮化镓
Gallium Nitride
ion-implantation
luminescence
implantation-isolation
dogping
deep-level derects