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有输运位垒的高性能等离子体中的输运
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摘要
在近期的托卡马克实验中,获得了几种高性能等离子体,一种是由L(低)到H(高)的转变触发的H(高)模式。在这种情形下,输运位垒是在边缘区域产生的。得到的高约束等离子体由定标律的回旋博姆型输运表征。另一种是在接近安全因子分布的最小点的内区域有输运位垒的负(中心)剪切或(增强的)反向剪切模式。
作者
Wakat.,M
火苗
出处
《国外核聚变与等离子体应用》
1999年第1期45-52,共8页
关键词
高性能
等离子体
输运位垒
负剪切位形
托卡马克
分类号
TL612 [核科学技术—核技术及应用]
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国外核聚变与等离子体应用
1999年 第1期
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