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TSMC宣布发展20nm工艺
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摘要
TSMC于美西时间13日在美国加州圣荷西市举行技术研讨会，会中宣布将跳过22nm工艺，直接发展20nm工艺。此系基于“为客户创造价值”而作的决定，提供客户一个更可行的先进工艺选择。
作者
本刊通讯员
出处
《电子与封装》
2010年第5期43-44,共2页
Electronics & Packaging
关键词
TSMC
工艺
技术研讨会
美国加州
创造价值
客户
分类号
TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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.中国集成电路,2008,17(6):61-64.
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赵佶.
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.电子工业专用设备,2005,34(7):45-47.
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.印制电路信息,2006,14(6):60-63.
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.中国电子商情,2013(5):66-70.
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.半导体行业,2006,0(6):42-45.
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.中国集成电路,2010,19(5):2-2.
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黄道生.
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.电子与封装,2006,6(8):10-11.
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电子与封装
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