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NexFET:一种高可靠与高性能的低压功率DMOSFET 被引量：1

NexFET:A reliable high-performance low-voltage DMOSFET
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摘要 本文介绍一种具有高性能和高可靠性的新型低压功率MOSFET——TI公司的NexFETTM,它将一种高可靠、高性能的RF LDMOSFET与齐纳二极管组合。基于MOSFET结构的RF LDMOSFET将品质因数(Ron*Qg)改善两倍。一个纵向集成的齐纳二极管钳制峰值开关节点电压的尖峰形成,从而使MOSFET免受击穿。 This article addresses a new lot-voltage power MOSFET with high-performance and excellent reliability. Tli-s NexFETTM marries a highly reliable, high-performance RF LDMOSFET with a Zener diode. The RF LDMOSFET-based MOSFET structure offers two times the improvement in figure of merit： Ron＊Qg. An integrated vertical Zener diode clamp peaks switch node voltage spiking, thus, keeping the MOSFETs from breakdown.
作者 Alex Q.Huang 许曙明 王潇
机构地区 北卡罗来纳州立大学(美) 德克萨斯仪器公司(美) 精英公共关系顾问(北京)公司
出处 《电力电子》 2010年第2期48-50,共3页 Power Electronics
关键词 NexFET MOSFET 齐纳二极管 电源管理 模拟 德州仪器(TI) NexFET MOSFET Zenner diode Power management Analog Texas Instruments（Tl）
分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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引证文献1

二级引证文献1

电力电子
2010年 第2期

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