嘉兴斯达半导体IGBT模块

绝缘栅双极型晶体管（InsulatedGateBipolarTransistor，IGBT）是一种新型的电力电子器件，它综合了MOSFET和BJT两者的优点，具有近似最优的电力电子器件特性，一方面IGBT具有MOS栅极结构，有高的输入阻抗，为电压控制型器件，简化了驱动和控制电路的设计；另一方面IGBT具有BJT的电导调制效应，具有通过大电流的能力，使得IGBT能够广泛地应用于中大功率的应用领域。