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杨教授视点 智能电网技术 15kVSiCIGBT的发展及其对电力应用的影响(中) 被引量:1

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摘要 15-kV SiC IGBT的设计与优化 图3给出了15-kVN沟道4H-SiC IGBT的半单元截面图。4H-SiC n^+衬底上生长有外延层。厚3μm、1×10^19cm^-3掺杂的P+发射极层是第一个外延层。其后是n型底部缓冲层(场塞),厚5μm,掺杂浓度1×10^17cm^-3,可以防止场击穿,同时实现了较好的性能折中。
出处 《变频器世界》 2010年第5期22-23,共2页 The World of Inverters
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同被引文献11

  • 1Ronan E R,Sudhoff S D,Glover S F,Galloway D L.Application of Power Electronics to the Distribution Transformer[J]. IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposi- tion, 2000, (2): 861-867.
  • 2M.Rahimo et al.A High Current 3300V Module Employing RC-IGBTs Setting a New Benchmark in Out- put Power Capability. Proc. ISPSD, 08:68.
  • 3M.Yatsu, K.Kuroki, M.Katoh, M.Fujikura. Three-Phase 200kVA UPS with IGBT consisting of high power factor converter and instan- taneous waveform controlled HF PWM inverter, in proceedings of IECON' 90, pp1057-1062, 1990.
  • 4Ralph E.Locher,Abhijit D.Use of BiMOSFETs in Modern Radar Transmitters[J]. IEEE 2001 PEDS, 2001, 776-782.
  • 5PATRICK W W,JOSE R,JON C C,et al.Matrix converter: a technology review[J]. IEEE Trans on Inst Elect, 2009, 49(2): 276-288.
  • 6叶立剑,邹勉,杨小慧.IGBT技术发展综述[J].半导体技术,2008,33(11):937-940. 被引量:30
  • 7刘倩倩.美国的智能电网建设[J].山西能源与节能,2010(1):74-75. 被引量:3
  • 8本刊编辑部.坚强智能电网发展规划与建设试点[J].电器工业,2010(7):18-20. 被引量:5
  • 9方华亮,黄贻煜,范澍,陆继明,毛承雄.配电系统电力电子变压器的研究[J].电力系统及其自动化学报,2003,15(4):27-31. 被引量:23
  • 10邓卫华,张波,胡宗波.电力电子变压器电路拓扑与控制策略研究[J].电力系统自动化,2003,27(20):40-44. 被引量:67

引证文献1

二级引证文献7

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