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第三代光电池——一种由非平面芯片构成的碲化太阳能电池

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摘要 硅晶太阳能电池,自1954年于美国贝尔实验室诞生以来,经历了第一代单晶硅、第二代多晶硅和非晶硅的不断改进与迅猛发展。但至今难进寻常百姓家之根本原因仍是在于造价高、效率低,性,价比差。对此,本发明探索了一条既可显著提高转换率,又能大幅度降低制造成本的新路——将太阳能电池推进到“非平面、无硅晶”的第三代!
作者 雷加良
出处 《中国科技财富》 2010年第12期245-245,共1页 China Science and Technology Fortune Magazine
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