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GaN电源管理器件未来两年将快速增长

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摘要 由于Si材料制作的电源管理器件的性能已趋极限,为开拓新的材料不少公司作了许多努力,近年有所突破,那就是在Si材料上生长一层GaN,成为GaN电源管理器件,它具有效率高、体积小和可减少高压产品电耗等优点。
出处 《电子产品世界》 2010年第6期6-6,共1页 Electronic Engineering & Product World
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