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基于氮氧化物的高k栅介质研究现状

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摘要 氮氧化物在MOS器件高k栅介质研究中得到了广泛的重视。本文从材料、工艺、性能等角度综述了目前氮氧化物的研究进展,对氮化改性应用于高k栅介质的利弊作了重点探讨。
出处 《科技创新导报》 2010年第8期105-106,共2页 Science and Technology Innovation Herald
基金 集美大学预研基金4411-C60825 国家自然科学基金50172042
  • 相关文献

参考文献2

  • 1SIA,The national technology roadmap for semiconductors technology needs:Semiconductor Industry Associations(SIA),(2003).
  • 2S.J.Wang,J.W.Chai,and Y.F.Dong,et al.,Effect of nitrogen in-corporation on the electronic structure and thermal stability of HfO2 gate dielectric,Applied Physics Letters,2006,88.

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