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关于NO氮化SiO_2超薄栅介质膜的研究 被引量：1

Study of Ultra Thin Gate Dielectrics Prepared by NO Nitridation of SiO 2
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摘要 研究了采用ＮＯ快速热氮化ＳｉＯ２膜的方法制备超薄栅介质膜，并初步制备出约５ｎｍ超薄栅的ＭＯＳ电容和约６ｎｍ超薄栅的ＮＭＯＳＦＥＴ，ＮＯ氮化改善了超薄ＳｉＯ２膜的性能。 In this paper,ultra thin gate dielectric films fabricated by the method of Nitric Oxide(NO)raped thermal nitridation have been studied.The MOS capacitors with￣5nm gate dielectrics and NMOSFETs with￣6nm gate dielectrics have been elementally made.The characteristics of ultra thin SiO 2 films have been improved by NO rapid thermal nitridation.
作者 熊大菁 项雪松
机构地区 清华大学微电子所
出处 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第1期46-51,共6页 Semiconductor Technology
关键词 热氮化 一氧化氮 二氧化硅 超薄栅介质膜 Rapid thermal nitridation Interface state Hot carrier effect Nitric oxide(NO)
分类号 TN304.21 [电子电信—物理电子学] TN304.055 [电子电信—物理电子学]
  • 相关文献

参考文献5

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同被引文献34

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引证文献1

半导体技术
1999年 第1期

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