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摘要 CN200810016665．6用于半导体单晶生长的高纯碳化硅粉的人工合成方法申请人：山东大学本发明提供了一种用于半导体单晶生长的高纯碳化硅粉的人工合成方法，包括以下步骤：（1）按摩尔比1：1的比例取Si粉和C粉；（2）将所取Si粉和C粉混合均匀后放入坩埚中，将坩埚置于中频感应加热炉中，

出处《磨料磨具通讯》 2010年第5期36-37,共2页

关键词专利信息中频感应加热炉合成方法碳化硅粉单晶生长山东大学混合均匀半导体

分类号 TQ174.758 [化学工程—陶瓷工业]

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磨料磨具通讯

2010年第5期

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