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低应力Si_3N_4介质膜的制备工艺优化
被引量：
2
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摘要
低应力Si3N4介质膜对于制作微结构传感器是非常重要的。本文通过采用正交试验设计,优化出Si3N4介质膜制备的低应力工艺参数,并给出了Si3N4薄膜应力的测试方法和测试结果。
作者
李海博
齐虹
王晓光
李玉玲
机构地区
中国电子科技集团公司第四十九研究所芯片与微系统工程中心
出处
《中国新技术新产品》
2010年第14期18-18,共1页
New Technology & New Products of China
关键词
正交试验
低应力Si3N4
优化
应力测试
分类号
TQ028.8 [化学工程]
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