飞思卡尔在大失配应用中引入业内首款50V RF LDMOS功率管

飞思卡尔半导体日前推出一款RFLDMOS功率管．工作频率为1．8至600MHz，最适于在C02激光器、等离子体发生器和磁共振成像（MRI）扫描仪等应用中所遇到的具有潜在破坏性的阻抗失配条件下使用。新MRFE6VP6300HFET是世界首款50VLDMOS晶体管，在电压驻波比（VSWR）为65：1的负载中提供300WCW的全额定输出功率。