在磁控管增强的SF6等离子体中锗的干蚀刻
-
1刘道广,郝跃,徐世六,李开成,李培咸,张晓菊,张金凤,郑雪峰,张静,刘嵘侃,刘伦才.基于干/湿法腐蚀的自对准SiGe HBT器件[J].Journal of Semiconductors,2005,26(1):102-105.
-
2刘启飞,汪斌,罗宁,万彩云,范明豪.SFCL—I型SF_6气体处理系统调试与安装中的若干问题[J].电气应用,2009,28(13):26-29. 被引量:1
-
3张力,卢昌华,江建国,郑雷.激光可视检漏仪中激光能量对灵敏度的影响[J].激光与红外,2010,40(3):246-248. 被引量:4
-
4丁瑞雪,杨银堂,韩茹.Microtrenching effect of SiC ICP etching in SF_6/O_2 plasma[J].Journal of Semiconductors,2009,30(1):100-102. 被引量:5
-
5李光明.激光光声光谱检测技术在六氟化硫检漏工作中的应用[J].科技传播,2011,3(4):149-149. 被引量:2
-
6宏声.干蚀刻用等离子体的现状和今后的课题[J].等离子体应用技术快报,1996(1):1-3.
-
7刘乐.GIS安装检测的程序[J].高压电器,1992,28(1):51-52.
-
8思乐.PECVD氮化硅的SF6等离子体活性离子蚀刻[J].等离子体应用技术快报,1995(3):2-4.
-
9范忠,赖宗声,秦元菊,孔庆粤.硅的横向刻蚀技术研究[J].微电子学,2001,31(3):195-197. 被引量:1
-
10王景儒.电气设备内六氟化硫中的水分及其控制[J].黎明化工,1994(4):16-19. 被引量:1
;