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高质量GaN外延薄膜的生长
被引量：
7
GROWTH OF HIGH QUALITY EPITAXIAL GaN THIN FILMS
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摘要
综述了高质量ＧａＮ外延薄膜的生长研究工作的最新重要进展．主要采用的新工艺为：在较低温度下生长ＧａＮ缓冲层后再高温生长ＧａＮ外延薄膜，双气流金属有机化合物气相沉积（ＭＯＣＶＤ），以及用开有窗口的ＳｉＯ２膜截断穿过位错后横向覆盖外延生长（ｅｐｉｔａｘｉａｌｙｌａｔｅｒａｌｏｖｅｒｇｒｏｗｔｈ）．Ｘ射线衍射和高分辨电镜研究证实，上述工艺使ＧａＮ外延薄膜质量得到显著提高．利用这种薄膜研制成的蓝色激光管即将投放市场．
作者
吴学华
J.S.Speck
吴自勤
机构地区
中国科学技术大学基础物理中心
出处
《物理》
CAS
1999年第1期44-51,共8页
Physics
关键词
外延薄膜
蓝色激光管
穿过位错
氮化镓
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
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物理
1999年 第1期
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