期刊文献+

基于GaN HEMT的C波段压控振茄器单片集成电路

下载PDF
导出
摘要 中国科学院微电子研究所微波器件与集成电路研究室成功研制出一款基于GaN HEMT(氮化镓高电子迁移率晶体管)的C波段压控振荡器单片集成电路。
出处 《军民两用技术与产品》 2010年第6期16-16,共1页 Dual Use Technologies & Products
  • 相关文献

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部