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基于GaN HEMT的C波段压控振茄器单片集成电路
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摘要
中国科学院微电子研究所微波器件与集成电路研究室成功研制出一款基于GaN HEMT(氮化镓高电子迁移率晶体管)的C波段压控振荡器单片集成电路。
出处
《军民两用技术与产品》
2010年第6期16-16,共1页
Dual Use Technologies & Products
关键词
单片集成电路
压控振荡器
HEMT
GaN
C波段
高电子迁移率晶体管
电子研究所
中国科学院
分类号
TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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军民两用技术与产品
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