MOSFET击穿特性的二维数值模拟
摘要
0引言
MOSET中产生击穿的机构有漏源击穿和栅绝缘层击穿。其中漏源击穿电压是由漏一衬底的PN结雪崩击穿电压与穿通电压两者中的较小者决定的。本文对漏源击穿运用MEDICI二维器件模拟软件进行分析。
出处
《数字通信》
2010年第3期80-82,88,共4页
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