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深亚微米器件Monte Carlo模拟的数学模型 被引量：2

Mathematical Model on Monte Carlo Simulation for Deep Submicrometer Device
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摘要 讨论了深亚微米半导体器件模拟的ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ方法（ＭＣＭ），并简要阐述了玻耳兹曼模型（ＢＴＭ）、漂移扩散模型（ＤＤＭ）和流体动力学模型（ＨＤＭ）之间的关系． We discuss Monte Carlo method (MCM) for semiconductor device simulation,and describe the relations among Boltzmann transport model (BTM), drift diffusion model (DDM) and hydrodynamic model (HDM).
作者 赵平 魏同立 吴金
机构地区 东南大学微电子中心
出处 《东南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 1999年第1期8-13,共6页 Journal of Southeast University：Natural Science Edition
关键词 深亚微米器件 半导体器件 蒙特卡罗模拟 Monte Carlo method (MCM) mathematical model scattering deep submicrometer device
分类号 TN302 [电子电信—物理电子学]
  • 相关文献

参考文献1

  • 1叶良修，尺寸半导体器件的蒙特卡罗模拟，1997年

同被引文献11

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引证文献2

二级引证文献1

东南大学学报（自然科学版）
1999年 第1期

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