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加载速率对位错发射、层错宽度及位错速度影响

Influence of Loading Rate on Dislocation Emission, Width of StackingFault and Dislocation Velocity
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摘要 应用分子动力学方法研究了Cu和Al单晶在Ⅱ型加载条件下,加载速率对位错发射、层错宽度W及位错速度Vd的影响.结果表明,加载速率对W和Vd有显著影响.随着加载速率的增大,层错宽度减小,位错速度增大.当加载速率达到某一临界值时,能量不仅以发射位错的形式释放,而且形成孪晶,以降低体系的能量. Cu and Al single crystals with molecular dynamics simulation method was studied.Under mode Ⅱ loading, the influence of loading rate on dislocation emission, width of stackingfault and dislocation velocity was analyzed. The simulated results show that width of stacking faultdecreases as loading rate increases, while dislocation velocity increase dramatically.If loading rate isvery high, system energy will be released by dislocation emission, the twinning is formed as well.
出处 《北京科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期26-28,共3页 Journal of University of Science and Technology Beijing
基金 国家自然科学基金!59771051 59871010
关键词 偏位错 加载速率 层错宽度 位错发射 位错速度 molecular dynamics partial dislocation dislocation dissociation Cu Al
  • 相关文献

参考文献2

  • 1Zhang Y W,Scripta Metall Mater,1995年,33卷,267页
  • 2汪复兴,金属物理,1981年,8页

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